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参数资料
| 型号： | 2SA1708-T |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | NMP, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | 2SA1708-T |
No.3094-4/5
2SA1708/2SC4488
A S O
3
1.0
2
0.1
3
0.01
2
5
3
2
5
57
2
5
37
2
1.0
10
25
37 100
ITR04338
ITR04337
ITR04339
VBE(sat) -- IC
--10
7
5
3
2
7
5
3
--1.0
--0.01
72
3
7
52
3
7
52
--0.1
--1.0
ITR04336
2SA1708
IC / IB=10
2SC4488
IC / IB=10
PC -- Ta
1.2
1.0
0
0.8
0.6
0.4
0.2
100
140
120
160
20
060
40
80
2SA1708 / 2SC4488
Ta= --25°C
75°C
25°C
IC=1.0A
ICP=2.0A
100ms
10ms
DC
operation
Ta= --25°C
75
°C
25
°C
VCE(sat) -- IC
ITR04335
Ta=75°C
--25
°C
25°C
2SC4488
IC / IB=10
--0.01
72
23
5
7
23
5
7
--0.1
--1.0
3
2
7
5
3
2
7
5
--1000
--100
VCE(sat) -- IC
ITR04334
Ta=75
°C
--25°
C
25°
C
2SA1708
IC / IB=10
0.01
72
2
3
57
2
3
57
0.1
1.0
3
2
7
5
3
2
7
5
1000
100
10
7
5
3
2
7
5
3
1.0
0.01
72
3
7
52
3
7
52
0.1
1.0
2SA1708 / 2SC4488
1ms
Collector
Dissipation,
P
C
–
W
Ambient Temperature, Ta – C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector Current, IC – A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–V
Collector Current, IC – A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–V
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
mV
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
mV
Ta=25
°C
Single pulse
(For PNP, minus sign is omitted.)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4488-S | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4488-T | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1708-S | 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4497-O | 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SC4497-R | 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1708T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1709S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1709T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA171 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-5 -20V -.05A .125W |
| 2SA1720-AZ-L | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bulk |
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