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参数资料
| 型号： | 2SA1708T |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | NMP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | 2SA1708T |
2SA1708 / 2SC4488
No.3094-2/5
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)400mA, IB=(--)40mA
(--0.2)0.1
(--0.6)0.4
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)400mA, IB=(--)40mA
(--)0.85
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--)120
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)100
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(80)80
ns
Strage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(700)850
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(40)50
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7519-003
12
3
6.9
0.5
0.6
4.0
4.5
1.0
2.5
1.45
1.0
0.9
0.45
2.54
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : NMP
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
ITR04323
2SC4488
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
--1
--2
--4
--5
--3
ITR04322
2SA1708
IB=0mA
--1mA
--2mA
--15mA
--10mA
--5mA
--3mA
--20mA
--25mA
--30mA
IB=0mA
1mA
3mA
2mA
5mA
20mA
15mA
10mA
25mA
30mA
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
012
4
5
3
VR
RL
VCC=50V
VBE= --5V
10IB1= --10IB2= IC=400mA
(For PNP, the polarity is reversed.)
+
50Ω
INPUT
OUTPUT
RB
100μF470μF
PW=20μs
IB1
IB2
D.C.≤1%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4488S | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1714 | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SA1714-L | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SA1720-AZ | 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1720 | 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1708T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1709S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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| 2SA171 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-5 -20V -.05A .125W |
| 2SA1720-AZ-L | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bulk |
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