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参数资料
| 型号： | 2SA1710-R |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | NMP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | 2SA1710-R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4490S | 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1714-AZ | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SA1714-M | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SA1714 | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SA1714-M-AZ | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1720-AZ-L | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bulk |
| 2SA1720-K(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SA1720-L(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SA1721OTE85LF | 功能描述:TRANS PNP 300V 100MA TO236-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 |
| 2SA1721RTE85LF | 功能描述:TRANS PNP 300V 100MA TO236-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 |
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