- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33320 > 2SA1759T100 100 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SA1759T100 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | 2SA1759T100 |
2SA1759
Transistors
Rev.B
1/3
High-voltage Switching Transistor
(Camera strobes and Telephone, Power supply)
(
400V, 0.1A)
2SA1759
Features
1) High breakdown voltage. (BVCEO =
400V)
2) Low saturation voltage,
typically VCE (sat)=
0.2V at IC / IB= 20mA / 2mA.
3) High switching speed, typically tf = 1
s at Ic =100mA.
4) Wide SOA (safe operating area).
5) Complements the 2SC4505.
Dimensions (Unit : mm)
MPT3
(1)Base
(2)Collector
(3)Emitter
1.5
0.4
1.6
0.5
3.0
0.4
1.5
(3)
(2)
(1)
4.5
0.5
4.0
2.5
1.0
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
400
7
0.1
0.5
150
55 to +150
Unit
V
A(DC)
0.2
A(Pulse)
W
1
2
2
°C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1 Single pulse, Pw=100ms
2 When mounted on a 40×40×0.7 mm ceramic board.
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
400
7
82
0.2
12
13
10
0.5
180
V
A
V
MHz
pF
IC
= 50A
IC
= 1mA
IE
= 50A
VCB
= 400V
VEB
= 6V
IC
= 20mA, IB= 2mA
VBE(sat)
1.5
V
IC
= 20mA, IB= 2mA
VCE
= 10V , IC= 10mA
VCE
= 10V , IE=10mA , f=5MHz
VCB
= 10V , IE=0A , f=1MHz
ton
0.7
sIC= 100mA RL=1.5k
tstg
1.8
sIB1= IB2= 10mA
tf
1
sVCC~ 150V
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Base-emitter saturation voltage
Turn-on time
Storage time
Fall time
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1762S | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1766 | 300 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
| 2SA1773C(TP) | 2000 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4616(TP-FA) | 2000 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4616C(TP) | 2000 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1759T100P | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 400V 0.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1761(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -50V -3A 120 to 400 LSTM Bulk |
| 2SA1761,F(J | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 75mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SA1761,T6F(J | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 75mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SA1761,T6F(M | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 75mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。