- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33320 > 2SA1790C (PANASONIC CORP) 30 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SA1790C |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 30 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SSMINI3-G1, SC-75, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 201K |
| 代理商： | 2SA1790C |
2SK1338
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 3 of 6
Main Characteristics
60
40
20
0
50
100
150
Case Temperature TC (°C)
Channel
Dissipation
Pch
(W)
Power vs. Temperature Derating
10
2
0.5
Drain to Source Voltage VDS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Maximum Safe Operation Area
5
1
0.2
1
0.1
3
10
30
100
300
1,000
0.05
0.02
0.01
Ta = 25
°C
100
s
1 ms
PW
=
10
ms
(1
shot)
DC
Operat
ion
(T
C =
25
°C)
Operation
in
this
area
is
limited
b
y R
DS
(on)
10
s
5
20
50
Drain to Source Voltage VDS (V)
Typical Output Characteristics
4
1
10
30
40
0
2
3
Drain
Current
I
D
(A)
VGS = 3.0 V
4.0 V
Pulse Test
4.5 V
5.0 V
5.5 V
10 V
6 V
5
410
Gate to Source Voltage VGS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Typical Transfer Characteristics
4
1
26
8
0
2
3
TC = 25°C
–25
°C
75
°C
VDS = 20 V
Pulse Test
50
820
Gate to Source Voltage VGS (V)
Drain
to
Source
Saturation
Voltage
V
DS
(on)
(V)
40
10
412
16
0
20
30
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
Pulse Test
1 A
2 A
ID = 3 A
50
Drain Current ID (A)
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS
(on)
(
)
20
2
1
5
10
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
Pulse Test
0.5
2
VGS = 10 V
15 V
0.05
0.1
0.2
0.5
1
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1790G-C | 30 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1790G | 30 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1790GB | 30 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1791GQ | 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1791G | 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1790GCL | 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管 (BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数（dB典型值@频率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD，扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SA1790JCL | 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1791GRL | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1791JRL | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1793 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。