参数资料
型号: 2SA1791J
厂商: PANASONIC CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F1, SC-89, 3 PIN
文件页数: 2/3页
文件大小: 234K
代理商: 2SA1791J
2SA1791J
2
SJC00309AED
VCE(sat) IC
hFE IC
Cob VCB
PC Ta
IC VCE
IC VBE
0
40
80
120
0
20
40
60
80
100
120
140
Collector
power
dissipation
P
C
(mW
)
Ambient temperature T
a (°C)
0
12
10
8
2
6
4
0
20
30
10
40
50
60
70
80
90
IB
= 300 A
Ta
= 25°C
100 A
50 A
150 A
250 A
200 A
Collector
current
I
C
(mA)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0
0.2
0.6 0.8 1.0 1.2
0.4
1.4
0
50
30
40
20
10
VCE
= 10 V
Ta = 85
°C
25
°C
25°C
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
25
°C
25°C
Ta = 85
°C
IC / IB
= 10
Collector current I
C (mA)
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V)
0.01
0.1
1
10
100
Ta = 85
°C
25
°C
25°C
VCE
= 10 V
Collector current I
C (mA)
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
0
600
500
200
100
400
300
1
10
100
0
40
10
30
20
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector-base voltage V
CB (V)
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
0
0.5
3.5
3.0
2.5
1.0
2.0
1.5
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相关PDF资料
PDF描述
2SA1793 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1802(2-7B1A) 3000 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1802 3000 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1806GR 50 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1806GQ 50 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SA1791JRL 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1793 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
2SA1795-7061 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-40/IC=-5/HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1795-7071 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-40/IC=-5/HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1795-7100 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-40/IC=-5/HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2