型号: | 2SA1804 |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
封装: | 2-16F1A, 3 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 120K |
代理商: | 2SA1804 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SA1811 | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA1832F | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA1843-M | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SA1860O | 14 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SA1862F5TLN | 2000 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SA1804-O | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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2SA1806GRL | 功能描述:TRANS PNP 15VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SA1806JRL | 功能描述:TRANS PNP 15VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |