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参数资料
| 型号： | 2SA1805 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-16F1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | 2SA1805 |
2SA1805
2004-07-07
2
Marking
A1805
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
Characteristics
indicator
Part No. (or abbreviation code)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1810 | 0.2 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1810B | 0.2 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1830-AY | 2 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1830-AY | 2 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4735-AY | 1 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1805-O(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk |
| 2SA1806GRL | 功能描述:TRANS PNP 15VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1806JRL | 功能描述:TRANS PNP 15VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1807TLP | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP;HIGH VOLTAGE HFE RANK ’P’ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1812T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 400V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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