参数资料
型号: 2SA1805
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封装: LEAD FREE, 2-16F1A, 3 PIN
文件页数: 4/4页
文件大小: 129K
代理商: 2SA1805
2SC4365
No.3007–4/5
S parameter (Common emitter)
VCE=3V, IC=5mA, ZO=50Ω
VCE=3V, IC=20mA, ZO=50Ω
)
z
H
M
(
q
e
r
FS
|
1
1 |
∠ S 1
1
S
|
1
2 |
∠ S 1
2
S
|
2
1 |
∠ S 2
1
S
|
2
2 |
∠ S 2
2
0
18
3
7
.
07
.
5
4
–2
5
3
.
97
.
3
4
10
4
0
.
00
.
5
67
2
8
.
05
.
2
0
26
0
6
.
03
.
0
8
–3
8
1
.
79
.
3
2
19
5
0
.
04
.
4
54
6
.
03
.
1
3
0
45
8
4
.
06
.
9
2
1
–4
1
8
.
44
.
9
99
7
0
.
05
.
3
56
0
5
.
03
.
5
3
0
69
4
.
05
.
9
4
1
–6
2
4
.
34
.
7
87
9
0
.
01
.
8
53
6
4
.
01
.
8
3
0
87
3
4
.
02
.
1
6
1
–6
2
6
.
28
.
8
75
1
.
05
.
3
64
4
.
04
.
1
4
0
97
3
4
.
09
.
5
6
1
–2
9
3
.
26
.
5
77
2
1
.
02
.
5
66
4
.
03
.
3
4
0
14
4
.
02
.
0
7
1
–0
8
1
.
23
.
2
78
3
1
.
03
.
7
64
4
.
04
.
5
4
0
2
18
4
.
07
.
5
7
1
–1
9
8
.
18
.
6
63
6
1
.
00
.
9
61
5
4
.
04
.
0
5
)
z
H
M
(
q
e
r
FS
|
1
1 |
∠ S 1
1
S
|
1
2 |
∠ S 1
2
S
|
2
1 |
∠ S 2
1
S
|
2
2 |
∠ S 2
2
0
16
4
.
07
.
2
1
–1
7
4
.
7
15
.
8
1
16
2
0
.
05
.
1
61
8
5
.
06
.
2
3
0
21
2
4
.
04
.
3
4
1
–1
4
3
.
0
14
.
2
0
10
4
0
.
00
.
5
67
3
4
.
02
.
2
3
0
44
1
4
.
08
.
4
6
1
–5
4
5
.
52
.
8
87
6
0
.
07
.
1
70
7
3
.
05
.
0
3
0
62
1
4
.
05
.
3
7
1
–2
4
7
.
39
.
9
76
9
0
.
01
.
4
71
6
3
.
04
.
4
3
0
82
1
4
.
04
.
8
7
1
–2
2
8
.
24
.
3
73
2
1
.
08
.
5
79
5
3
.
01
.
9
3
0
98
1
4
.
01
.
9
7
16
6
5
.
29
.
0
79
3
1
.
06
.
5
75
6
3
.
05
.
1
4
0
18
2
4
.
08
.
6
7
16
2
3
.
21
.
8
63
5
1
.
00
.
6
76
6
3
.
02
.
4
0
2
15
3
4
.
00
.
4
7
13
1
0
.
22
.
3
62
8
1
.
09
.
4
78
9
3
.
02
.
0
5
S21e : VCE=3V
f=100MHz, 200 to 1200MHz(200MHz step)
S22e : VCE=3V
f=100MHz, 200 to 1200MHz(200MHz step)
ITR06666
ITR06667
j1
j0.5
j0.2
0
0.2
--j0.2
--j0.5
--j1
--j2
--j3
--j4
--j5
j2
j3
j4
j5
2
5
0.1GHz
1.2GHz
1
0.5
IC=20mA
IC=5mA
90°
120°
150°
±180°
--150°
--120°
--90°
--30°
--60°
0
60°
30°
4
20
12
8
16
1.2GHz
0.1GHz
IC=20mA
IC=5mA
相关PDF资料
PDF描述
2SA1810 0.2 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1810B 0.2 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1830-AY 2 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1830-AY 2 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SC4735-AY 1 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SA1805-O(F) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk
2SA1806GRL 功能描述:TRANS PNP 15VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1806JRL 功能描述:TRANS PNP 15VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1807TLP 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP;HIGH VOLTAGE HFE RANK ’P’ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1812T100Q 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 400V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2