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参数资料
| 型号： | 2SA1832-Y |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | 2-2H1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 132K |
| 代理商： | 2SA1832-Y |
2SA1832
2003-03-27
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1832-Y | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1832-O | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1832FT | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1832FTY | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1832FTGR | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1832-Y(T5L,F,T) | 功能描述:两极晶体管 - BJT -150mA -0.3V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1832Y(TE85L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP |
| 2SA1832-Y,LF | 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SSM 标准包装:1 |
| 2SA1834TLR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1834TLS | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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