型号: | 2SA1832-Y |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | 2-2H1A, 3 PIN |
文件页数: | 2/3页 |
文件大小: | 385K |
代理商: | 2SA1832-Y |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SA1832-O | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA1832FT | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA1832FTY | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA1832FTGR | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA1832FT | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SA1832-Y(T5L,F,T) | 功能描述:两极晶体管 - BJT -150mA -0.3V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1832Y(TE85L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP |
2SA1832-Y,LF | 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):150mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SSM 标准包装:1 |
2SA1834TLR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1834TLS | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 20V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |