- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33322 > 2SA1832FT 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SA1832FT |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TESM, 2-1B1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 162K |
| 代理商： | 2SA1832FT |
2SA1832FT
2007-11-01
2
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(
m
A
)
Ambient temperature Ta (
°C)
PC – Ta
Colle
ctor
p
ower
d
issip
atio
n
P
C
(
m
W
)
Base
curren
t
I
B
(
μA)
Base-emitter voltage VBE (V)
IB – VBE
Collector current IC (mA)
fT – IC
T
ransi
tion
fr
equen
cy
f
T
(MHz)
0.1
1000
10
100
30
0.3
300
3000
500
Common emitter
VCE = 10 V
Ta
= 25°C
10
3
1
100
30
50
3
0
1.4
1.0
0.8
0.4
0.3
1.2
0.5
1
5
30
50
100
10
Common emitter
VCE = 6 V
Ta
= 100°C 25
25
0.6
0.2
300
500
1000
0.1
1
100
30
0.3
0.5
Common emitter
IC/IB = 10
Ta
= 25°C
0.1
3
10
3
5
0.1
1
100
30
0.3
0.03
0.05
Common emitter
IC/IB = 10
0.01
3
10
0.3
0.5
Ta
= 100°C
25
120
0
140
100
80
40
120
60
20
80
0
20
40
60
100
0.1
1000
1
100
30
0.3
300
Common emitter
VCE = 6 V
VCE = 1 V
30
3
10
500
2000
Ta
= 100°C
25
100
50
Collector current IC (mA)
VBE (sat) – IC
Base-em
itt
er
sa
tura
tion
vol
tage
V
BE
(sat)
(V)
Collector current IC (mA)
VCE (sat) – IC
Colle
ct
or-em
itter
sa
tura
tion
vol
tage
V
CE
(sat)
(V)
Collector current IC (mA)
hFE – IC
DC
curre
nt
gain
h
FE
0
8
4
2
0
80
240
Common emitter
Ta
= 25°C
160
IB = 0.2 mA
1.5
6
2.0
1.0
0.5
0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1832FT-GR | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1832F | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1834F5TLR | 10000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1834F5TLQR | 10000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1837 | 1 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1832F-Y(TPL3,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape |
| 2SA1832-GR(T5L,F,T | 功能描述:两极晶体管 - BJT -150mA -0.3V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1832-GR(T5L,F,T) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP SSM |
| 2SA1832-GR(TE85L,F | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP |
| 2SA1832-GR,LF | 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SSM 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。