- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录222234 > 2SA1832FV-Y 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SA1832FV-Y |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | 2-1L1A, VESM, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 144K |
| 代理商： | 2SA1832FV-Y |
2SA1832FV
2004-06-17
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Coll
ect
or
cur
re
nt
I
C
(m
A
)
B
a
se
cu
rr
en
t
I
B
(
A)
Base-emitter voltage VBE (V)
IB – VBE
Collector current IC (mA)
fT – IC
T
ran
si
tion
fr
eque
nc
y
f
T
(M
H
z)
0.1
1000
10
100
30
0.3
300
3000
500
Common emitter
VCE = 10 V
Ta
= 25°C
10
3
1
100
30
50
3
0
1.4
1.0
0.8
0.4
0.3
1.2
0.5
1
5
30
50
100
10
Common emitter
VCE = 6 V
Ta
= 100°C 25
25
0.6
0.2
300
500
1000
0.1
1
100
30
0.3
0.5
Common emitter
IC/IB = 10
Ta
= 25°C
0.1
3
10
3
5
0.1
1
100
30
0.3
0.03
0.05
Common emitter
IC/IB = 10
0.01
3
10
0.3
0.5
Ta
= 100°C
25
0.1
1000
1
100
30
0.3
300
Common emitter
VCE = 6 V
VCE = 1 V
30
3
10
500
2000
Ta
= 100°C
25
100
50
Collector current IC (mA)
VBE (sat) – IC
Ba
se-
emi
tte
rsa
tu
ra
tion
v
olta
ge
V
BE
(
sa
t)
(
V
)
Collector current IC (mA)
VCE (sat) – IC
C
oll
ec
to
r-
em
itt
e
rsa
tur
atio
n
vo
ltage
V
CE
(
sa
t)
(
V
)
Collector current IC (mA)
hFE – IC
D
C
c
urr
en
tg
ai
n
h
FE
0
8
4
2
0
80
240
Common emitter
Ta
= 25°C
160
IB = 0.2 mA
1.5
6
2.0
1.0
0.5
0
AMBIENT TEMPERATURE Ta (
°C)
PC – Ta
C
O
LL
E
C
T
O
R
PO
W
E
R
DI
SS
IP
A
T
IO
N
P
C
(m
W
)
200
0
175
125
100
50
150
75
25
150
0
50
100
Mounted on FR4 board
(25.4 mm
× 25.4 mm × 1.6 mmt)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1832FV-GR | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1839 | PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor for Muting Circuit Applications(用于噪声抑制电路应用的PNP硅外延平面型晶体管) |
| 2SA1973 | PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor for DC/DC Converter Applications(用于DC/DC变换器的PNP硅外延平面型晶体管) |
| 2SA2058 | 1500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA893 | 50 mA, 90 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1832F-Y(TPL3,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape |
| 2SA1832-GR(T5L,F,T | 功能描述:两极晶体管 - BJT -150mA -0.3V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1832-GR(T5L,F,T) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP SSM |
| 2SA1832-GR(TE85L,F | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP |
| 2SA1832-GR,LF | 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SSM 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。