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参数资料
| 型号： | 2SA1862TL/P |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CPT3, SC-63, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | 2SA1862TL/P |
2SA1862
Transistors
Rev.B
1/2
High-voltage Switching Transistor
( 400V, 2A)
2SA1862
Features
1) High breakdown voltage. (BVCEO = 400V)
2) Low saturation voltage.
(Max. VCE (sat) = 0.5V at IC / IB = 500mA / 100mA)
3) High switching speed, typically tf = 0.4 s at IC = 1A.
4) Wide SOA (safe operating area).
Absolute maximum ratings (Ta=25 C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Limits
400
7
2
1
10
150
55 to +150
Unit
V
A (DC)
4
A (Pulse)
W
W (Tc=25
°C)
°C
Single pulse, Pw=10ms
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
External dimensions (Unit : mm)
CPT3
(1)Base (Gate)
(2)Collector (Drain)
(3)Emitter (Source)
6.5
2.3
(2)
(3)
0.65
0.9
(1)
0.75
2.3
0.9
5.1
1.5
5.5
2.3
0.5
1.0
0.5
9.5
2.5
0.8Min.
1.5
Abbreviated symbol : A1862
Packaging specifications and hFE
Type
2SA1862
CPT3
P
TL
2500
Package
hFE
Code
Basic ordering unit (pieces)
Electrical characteristics (Ta=25 C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
hFE
fT
Cob
400
7
82
18
30
10
0.5
180
V
μA
V
MHz
pF
IC
= 50μA
IC
= 1mA
IE
= 50μA
VCB
= 400V
VEB
= 5V
IC/IB
= 0.5A/ 0.1A
VBE(sat)
1.2
V
IC/IB
= 0.5A/ 0.1A
VCE
= 5V, IC= 0.1A
VCB
= 10V, IE=0.1A, f=5MHz
VCE
= 10V, IE=0A, f=1MHz
ton
0.2
μsIC=1A, RL=150Ω
tstg
1.8
μsIB1=IB2= 0.2A
tf
0.4
μs
VCC
150V
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Base-emitter saturation voltage
Turn-on time
Storage time
Fall time
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PDF描述 |
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