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参数资料
| 型号： | 2SA1869Y |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-10R1A, SC-67, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | 2SA1869Y |
2SA1869
2006-11-09
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
2SA1869
Power Amplifier Applications
Good linearity of hFE
Complementary to 2SC4935
Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
3
A
Base current
IB
0.3
A
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
PC
10
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-67
TOSHIBA
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1869 | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1871 | 1 A, 600 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1871-GA2-AZ | 1 A, 600 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1871-GA2 | 1 A, 600 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1871-GA3 | 1 A, 600 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1869-Y(JKT,Q,M) | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
| 2SA1869-Y(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -50V -3A 120 to 240 TO220NIS Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Tr.,PNP,50V/3A,hfe=120to240,TO-220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
| 2SA1869-Y(Q,M) | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
| 2SA1869-Y,MTSAQ(J | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
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