型号: | 2SA1862TR/NP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 2000 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件页数: | 2/3页 |
文件大小: | 117K |
代理商: | 2SA1862TR/NP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SA1869-Y(Q,M) | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
2SA1869-Y,MTSAQ(J | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |
2SA1869-Y,Q(J | 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 |