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参数资料
| 型号： | 2SA1871-GA3-AZ |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1 A, 600 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | 2SA1871-GA3-AZ |
Data Sheet D17082EJ3V0DS
4
2SC4346,4346-Z
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-251 (MP-3)
2) TO-252 (MP-3Z)
1. Base
2. Collector
3. Emitter
4. Collector Fin
12 3
4
6.5 ±0.2
4.4 ±0.2
5.0 ±0.2
0.5 ±0.1
5.6
±0.3
9.5
±0.5
2.5
±0.5
1.0
±0.5
1.5
0.1
+0.2
2.3 ±0.2
0.5 ±0.1
Note
0.4
MIN.
0.5
TYP.
0.15 ±0.15
2.3 ±0.3
5.5
±0.2
2
13
6.5 ±0.2
5.0 ±0.2
4
1.5
0.1
+0.2
5.5
±0.2
7.0
MIN.
13.7
MIN.
2.3
0.75
0.5 ±0.1
2.3 ±0.2
1.6
±0.2
1.1 ±0.2
0.5 0.1
+0.2
0.5 0.1
+0.2
1. Base
2. Collector
3. Emitter
4. Collector Fin
<R>
Note The depth of notch at the top of the fin is
from 0 to 0.2 mm.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1871-GA2-AZ | 1 A, 600 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1871-GA1 | 1 A, 600 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1871-GA1-AZ | 1 A, 600 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1876 | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1897-L | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1871-T1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Cut Tape |
| 2SA1873-GR | 功能描述:两极晶体管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1873-GR(TE85L,F | 功能描述:两极晶体管 - BJT -150mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1873-GR(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP USV |
| 2SA1873-GRTE85L | 功能描述:TRANS 2PNP 50V 0.15A USV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:2 PNP（双）配对，共发射极 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装:USV 标准包装:1 |
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