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参数资料
| 型号： | 2SA1873-GR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | USV, 2-2L1A, 5 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 208K |
| 代理商： | 2SA1873-GR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1873-Y | 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1883 | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1885TL | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1890G-S | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1890G-R | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1873-GR(TE85L,F | 功能描述:两极晶体管 - BJT -150mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1873-GR(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP USV |
| 2SA1873-GRTE85L | 功能描述:TRANS 2PNP 50V 0.15A USV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:2 PNP（双）配对，共发射极 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装:USV 标准包装:1 |
| 2SA1873-Y | 功能描述:两极晶体管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1873-Y(TE85L,F) | 功能描述:两极晶体管 - BJT -150mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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