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参数资料
| 型号： | 2SA1873-Y |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | USV, 2-2L1A, 5 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | 2SA1873-Y |
2SA1873
2003-03-27
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SA1873
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
Small package (dual type)
High voltage and high current: VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max)
High hFE
Excellent hFE linearity: hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA)
= 0.95 (typ.)
Complementary to 2SC4944
Maximum Ratings (Ta
==== 25°C) (Q1, Q2 common)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
-50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
-50
V
Emitter-base voltage
VEBO
-5
V
Collector current
IC
-150
mA
Base current
IB
-30
mA
Collector power dissipation
PC
(Note)
200
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature range
Tstg
-55~125
°C
Note 1: Total rating
Marking
Equivalent Circuit (top view)
Electrical Characteristics (Ta
==== 25°C) (Q1, Q2 common)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = -50 V, IE = 0
-0.1
mA
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = -5 V, IC = 0
-0.1
mA
DC current gain
hFE
(Note)
VCE = -6 V, IC = -2 mA
120
400
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = -100 mA, IB = -10 mA
-0.1
-0.3
V
Transition frequency
fT
VCE = -10 V, IC = -1 mA
80
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = -10 V, IE = 0, f = 1 MHz
4
7
pF
Note 2: hFE classification Y (Y): 120~240, GR (G): 200~400
( ) marking symbol
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-2L1A
Weight: 6.2 mg (typ.)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1873-GR | 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1881TB | 1000 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1881TB | 1000 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1882 | 1.5 A, 15 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1889B | 0.2 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1873-Y(TE85L,F) | 功能描述:两极晶体管 - BJT -150mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1876-7061 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-80 IC=-3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1876-7071 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-80 IC=-3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1876-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-80 IC=-3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1876-7101 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-80 IC=-3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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