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参数资料
| 型号： | 2SA1889B |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.2 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-126FM, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 23K |
| 代理商： | 2SA1889B |
2SA1889
Silicon PNP Epitaxial
Application
High frequency amplifier
Features
Excellent high frequency characteristics
f
T = 300 MHz typ
High voltage and low output capacitance
V
CEO = –200 V, Cob = 5.0 pF typ
Suitable for wide band video amplifier
Complimentary pair of 2SC5024
Outline
1
2
3
1. Emitter
2. Collector
3. Base
TO-126FM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1889B | 0.2 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1890Q | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1892-Y | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1892 | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1893-O | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA18900RL | 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 1A MINI PWR RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1890GRL | 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 1A MINIP-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1892-Y(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk |
| 2SA1896STTD | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA1897 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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