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参数资料
| 型号： | 2SA1889B |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.2 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-126FM, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 23K |
| 代理商： | 2SA1889B |
2SA1889
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
–200
V
Collector to emitter voltage
V
CEO
–200
V
Emitter to base voltage
V
EBO
–4
V
Collector current
I
C
–0.2
A
Collector peak current
I
C(peak)
–0.5
A
Collector power dissipation
P
C
1.4
W
Collector power dissipation
P
C*
1
8W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value at T
C = 25°C.
Electrical Characteristics (Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
–200
—
V
I
C = –10 A, IE = 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
–200
—
V
I
C = –1 mA, RBE = ∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
–4
—
V
I
E = –10 A, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
—
–10
AV
CB = –160 V, IE = 0
DC current
transfer ratio
2SA1889B
h
FE
60
—
120
V
CE = –5 V, IC = –10 mA
2SA1889C
h
FE
100
—
200
Base to emitter voltage
V
BE
——–1.0
V
CE = –5 V, IC = –30 mA
Collector to emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
——–1.0
V
I
C = –30 mA, IB = –3 mA
Gain bandwidth product
f
T
200
300
—
MHz
V
CE = –20 V, IC = –30 mA
Collector output capacitance
Cob
—
5.0
—
pF
V
CB = –30 V, IE = 0, f = 1 MHz
See characteristic curves of 2SA1810.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1889B | 0.2 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1890Q | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1892-Y | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1892 | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1893-O | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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