参数资料
型号: 2SA1876
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封装: EPACK-3
文件页数: 4/8页
文件大小: 292K
代理商: 2SA1876
0.01
0.1
1
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
2SA1876
IB1 = 0.1IC
IB2 = 0.1IC
VBB2 = 4V
VCC = 30V
Tc = 25
°C
ts
ton
tf
Switching Time - IC
Collector Current IC [A]
Switching
Time
t
SW
[
s]
相关PDF资料
PDF描述
2SA1897-L 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1897-K 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1900T100/R 1 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1900T100/PR 1 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1900T100/QR 1 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SA1876-7061 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-80 IC=-3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1876-7071 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-80 IC=-3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1876-7100 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-80 IC=-3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1876-7101 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-80 IC=-3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1877-7061 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-80 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2