| 型号: | 2SA1876 |
| 元件分类: | 功率晶体管 |
| 英文描述: | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装: | EPACK-3 |
| 文件页数: | 5/8页 |
| 文件大小: | 292K |
| 代理商: | 2SA1876 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1897-L | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1897-K | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1900T100/R | 1 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1900T100/PR | 1 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1900T100/QR | 1 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1876-7061 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-80 IC=-3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1876-7071 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-80 IC=-3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1876-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-80 IC=-3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1876-7101 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-80 IC=-3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1877-7061 | 功能描述:两极晶体管 - BJT V=-80 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |