型号: | 2SA1962-O |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 129K |
代理商: | 2SA1962-O |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SA1962-O(Q,T) | 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor PNP 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1962OTU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 230V 15A 130W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1962RTU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1964E | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR 160V 1.5A TO-220FP |