型号: | 2SA1963-3 |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | CP, 3 PIN |
文件页数: | 4/5页 |
文件大小: | 52K |
代理商: | 2SA1963-3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SA1965 | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA1980-G-AP | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SA1980-Y-BP | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SA1980-Y-AP | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SA1980-O-AP | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SA1964E | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR 160V 1.5A TO-220FP |
2SA1971(TE12L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor PNP 400V 0.5A 35MHz PW-Mini |
2SA1972(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
2SA1972(TE6,F,M) | 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor PNP, 400V, 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1972,F(J | 功能描述:TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):140 @ 20mA,5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:35MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |