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参数资料
| 型号： | 2SA1964 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-220FP, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SA1964 |
(SPEC-A315)
(SPEC-C315)
282
Transistors
2SA1964
Transistors
2SC5248
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5248 | 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1969 | C BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2016 | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2029K3T5G | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2049T100Q | 2000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1964E | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR 160V 1.5A TO-220FP |
| 2SA1971(TE12L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor PNP 400V 0.5A 35MHz PW-Mini |
| 2SA1972(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SA1972(TE6,F,M) | 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor PNP, 400V, 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1972,F(J | 功能描述:TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:140 @ 20mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:35MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
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