参数资料
型号: 2SA2016
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封装: ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN
文件页数: 4/5页
文件大小: 42K
代理商: 2SA2016
2SA2016 / 2SC5569
No.6309-4/5
VBE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
mV
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
mV
A S O
PC -- Ta
Collector
Dissipation,
P
C
--
W
Ambient Temperature, Ta --
°C
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
10000
1000
100
0.01
0.1
1.0
10
Ta= --25°C
75°C
7
5
3
2
7
5
3
2
23
5 7
2
3
5
7
2
3
5
7
2SC5569
IC / IB=50
IT00217
--10000
--1000
--100
--0.01
--0.1
--1.0
--10
Ta= --25°C
75°C
7
5
3
2
7
5
3
2
23
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2SA2016
IC / IB=50
IT00216
25°C
7
3
100
10
2
5
1000
7
5
3
2
--0.01
25 7
77
7
3
--0.1
25
32
5
3
--1.0
--10
5
IT00220
2SA2016
VCE= --10V
7
3
100
10
2
5
1000
7
5
3
2
0.01
25 7
77
7
3
0.1
25
32
5
3
1.0
10
5
IT00221
2SC5569
VCE=10V
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
100
10
0.1
23
3
57
7
57
1.0
2
10
2
55
IT00219
2SC5569
f=1MHz
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
100
10
5
--0.1
23
3
77
7
5
--1.0
2
--10
2
55
IT00218
2SA2016
f=1MHz
0
2.0
1.5
1.3
1.0
0.5
20
060
40
80
100
140
120
160
IT00223
10
1.0
0.01
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
1.0
0.1
10
100
25
37
25
37
25
37
ICP=10A
IC=7A
1ms
DC
operation
IT00222
2SA2016 / 2SC5569
Tc=25
°C
Single pulse
For PNP, the minus sign is omitted.
100ms
10ms
2SA2016 / 2SC5569
100
s
500
s
Mounted
on
a ceramic
board
(250mm
2!
0.8mm)
Cob -- VCB
f T -- IC
Cob -- VCB
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
--
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
--
pF
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
--
MHz
Collector Current, IC -- A
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
--
MHz
相关PDF资料
PDF描述
2SA2029K3T5G 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2049T100Q 2000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2081CCTL-E 100 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2086STPQ 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2090 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SA2016_05 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications
2SA2016_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications
2SA2016-AB3-R 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
2SA2016L-AB3-R 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
2SA2016-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 7A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2