| 型号: | 2SA2016 |
| 元件分类: | 功率晶体管 |
| 英文描述: | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装: | ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN |
| 文件页数: | 4/5页 |
| 文件大小: | 42K |
| 代理商: | 2SA2016 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2029K3T5G | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2049T100Q | 2000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2081CCTL-E | 100 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2086STPQ | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2090 | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA2016_05 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications |
| 2SA2016_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications |
| 2SA2016-AB3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 2SA2016L-AB3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 2SA2016-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 7A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |