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参数资料
| 型号： | 2SA2022 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-220ML, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | 2SA2022 |
2SA2022/2SC5610
No.6367–4/5
A S O
ICP
IC
100ms
10
s
DC
operation
10ms
1ms
500
s
100
s
1.8
2.0
0
1.6
1.4
2.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1.2
20
060
40
80
100
140
120
160
PC -- Ta
2SA2022 / 2SC5610
IT01362
10
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0.1
1.0
10
100
25
37
2
5
37
25
37
IT01361
f T -- IC
7
3
100
2
5
7
3
2
5
1000
IT01360
2SC5610
VCE=2V
f T -- IC
100
1000
7
2
5
3
2
5
--0.01
25
7
57
3
2
5
7
32
5
3
--0.1
--1.0
0.01
25
7
57
3
2
5
7
32
5
3
0.1
1.0
IT01352
2SA2022
VCE=--2V
Cob -- VCB
7
5
3
2
7
5
3
2
5
3
2
10
100
--1.0
23
5
7
2
3
5
2
3
5
7
--1.0
--10
IT01351
2SA2022
f=1MHz
7
5
3
2
7
5
3
2
10
100
5
3
2
1.0
23
5
7
10
2
IT01359
2SC5610
f=1MHz
Cob -- VCB
18
20
0
16
14
22
10
8
6
4
2
12
20
060
40
80
100
140
120
160
PC -- Tc
2SA2022 / 2SC5610
IT01870
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–
MHz
Collector Current, IC –A
Output
Capacitance,
Cob
–
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
–
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–
MHz
Collector Current, IC –A
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Dissipation,
P
C
–W
Ambient Temperature, Ta – C
No
heat
sink
Collector
Dissipation,
P
C
–W
Case Temperature, Tc – C
2SA2022 / 2SC5610
Tc=25
°C
Single pulse
For PNP, the minus sign (–) is omitted
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2022 | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA2025 | 3000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2025 | 3000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2034 | 2000 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SA2025 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC/DC Converter Applications |
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| 2SA2026_10 | 制造商:ISAHAYA 制造商全称:Isahaya Electronics Corporation 功能描述:FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
| 2SA2027 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
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