| 型号: | 2SA2025 |
| 厂商: | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | 3000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装: | SPA, 3 PIN |
| 文件页数: | 1/4页 |
| 文件大小: | 38K |
| 代理商: | 2SA2025 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2025 | 3000 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2034 | 2000 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2048TLR | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2056 | Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2058 | 1500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA2026 | 制造商:ISAHAYA 制造商全称:Isahaya Electronics Corporation 功能描述:FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
| 2SA2026_10 | 制造商:ISAHAYA 制造商全称:Isahaya Electronics Corporation 功能描述:FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
| 2SA2027 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SA2028 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer type |
| 2SA202800L | 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 1A S-MINI 3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |