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参数资料
| 型号： | 2SA2078G |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F2, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 230K |
| 代理商： | 2SA2078G |
2SD1221
2002-07-23
2
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 60 V, IE = 0
―
100
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 7 V, IC = 0
―
100
A
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 50 mA, IB = 0
60
―
V
hFE (1)
(Note)
VCE = 5 V, IC = 0.5 A
60
―
300
DC current gain
hFE (2)
VCE = 5 V, IC = 3 A
20
―
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 3 A, IB = 0.3 A
―
0.4
1.0
V
Base-emitter voltage
VBE
VCE = 5 V, IC = 0.5 A
―
0.7
1.0
V
Transition frequency
fT
VCE = 5 V, IC = 0.5 A
―
3.0
―
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
70
―
pF
Turn-on time
ton
―
0.8
―
Storage time
tstg
―
1.5
―
Switching time
Fall time
tf
IB1 = IB2 = 0.2 A, DUTY CYCLE ≤ 1%
―
0.8
―
s
Note: hFE classification O: 60 to 120, Y: 100 to 200, GR: 150 to 300
Marking
Explanation of Lot No.
Month of manufacture: January to December are denoted by letters A to L respectively.
Year of manufacture: last decimal digit of the year of manufacture
20 s
INPUT
IB1
IB2
OUTPUT
VCC = 30 V
I B1
15
IB2
D1221
Product No.
Lot No.
hFE Classification
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2090TLQ | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2090TL | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2099 | 10 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SA2113TLR | 2000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2121-O | 15 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA2078G0L | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 100MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA2079 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type |
| 2SA207900A | 功能描述:TRANS PNP 45VCEO 100MA 1006 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA208 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-5 -20V -.4A .12W |
| 2SA2080 | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:SILICON PNP EPITAXIAL |
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