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参数资料
| 型号： | 2SA2090 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TSMT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | 2SA2090 |
2SA2090
Transistors
2/3
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
fT
hFE
Cob
Ton
Min.
6
120
400
10
35
1.0
150
300
270
IE
=
100A
VCE
=
2V, IC= 50mA
VCB
=
60V
VEB
=
4V
IC
=
100mA, IB= 10mA
IC
=
500mA,
IB1
=
50mA
IB2
=50mA
VCC
25V
VCE
=
10V, IE=100mA, f=10MHz
VCB
=
10V, IE=0mA, f=1MHz
V
A
MHz
mV
pF
ns
Tstg
100
ns
Tf
60
ns
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BVCEO
60
V
IC
=
100mA
Collector-emitter breakdown voltage
Collector cut-off current
DC current gain
Transition frequency
Collector output capacitance
Turn-on time
Storage time
Fall time
Emitter cut-off current
Collector-emitter saturation voltage
BVCBO
60
IC
=
1mA
V
Collector-base breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
1
1 Measured using pulse current
hFE RANK
Q
120-270
Electrical characteristic curves
0
20
40
60
80
100
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(mA)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
0
1
234
5
Fig.1 Typical output characteristics
0
A
50
A
100
A
150
A
200
A
250
A
300
A
350
A
400
A
IB
=450A
Fig.2 Safe operating area
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
Single non repoetitive pulse
DC
1ms
10ms
500
s
10
1
0.1
0.01
0.001
100ms
10
0.1
1
100
Fig.3 Switching Time
1
0.01
0.1
1000
100
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
SWITCHING
TIME
(ns)
Ta
=25°C
VCC
=25V
Tstg
Tf
Ton
Fig.4 DC current gain vs. collector
current (
Ι )
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
DC
CURRENT
GAIN
:
hFE
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Ta
=100°C
Ta
=25°C
Ta
=40°C
VCE
=2V
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
DC
CURRENT
GAIN
:
hFE
VCE
=5V
VCE
=3V
VCE
=2V
Fig.5 DC current gain vs. collector
current (
ΙΙ)
Ta
=25°C
0.001
0.01
0.1
0.01
0.1
1
10
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE
(sat
)(V)
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
1
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current (
Ι )
IC/IB
=10/1
125
°C
25
°C
40°C
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