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参数资料
| 型号： | 2SA2121O |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 15 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-21F1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 133K |
| 代理商： | 2SA2121O |
2SA2121
2006-11-16
3
12
0
8
12
16
20
4
6
8
10
0
2
4
0.1
5
10
1000
0.03
30
10
1
10
1
0.1
0.01
100
IC – VCE
IC– VBE
hFE – IC
VCE (sat) – IC
fT– IC
Common emitter
Tc
= 25°C
VCE = 5 V
Tc
= 100°C
25
Common emitter
VCE = 5 V
IB = 20 mA
Common emitter
Tc
= 25°C
500
400
200
300
100
50
0.5
0
8
12
16
0
1.0
2.5
100
1000
0.1
1
10
100
0.1
1
Safe Operating Area
100
T
ransition
freque
ncy
f
T
(MHz
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Collector
current
I
C
(A)
Base-emitter voltage VBE (V)
Collector
current
I
C
(A)
Collector current IC (A)
DC
current
gain
h
FE
Collector current IC (A)
Collector-emitter
saturation
volt
age
V
CE
(sat)
(V)
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Tc
= 100°C
25
Common emitter
VCE = 5 V
4
1.5
2.0
300
500
30
50
1
3
0.3
0.1
0.03
30
10
1
3
0.3
Tc
= 100°C
25
Common emitter
IC / IB = 10 V
0.03
0.05
5
0.5
1
3
0.1
0.3
VCEO max
*:Single non-repetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be de-rated
linearly with increase in
temperature.
1 ms *
IC max (pulsed) *
10 ms *
IC max (continuous)
DC operation
Tc
= 25°C
100 ms *
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