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参数资料
| 型号： | 2SA2126 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SA2126 |
2SA2126
No.7990-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)1
IC=--1A, IB=--50mA
--135
--270
mV
VCE(sat)2
IC=--2A, IB=--100mA
--260
--520
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=--2A, IB=--100mA
--0.96
--1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=--10A, IE=0
--50
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=--100A, RBE=0
--50
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=--1mA, RBE=∞
--50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=--10A, IC=0
--6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
30
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
230
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
18
ns
Package Dimensions
unit : mm
2045B
2044B
Switching Time Test Circuit
IC -- VCE
Collector
Current,
I
C
--
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V IT07642
0
--4.0
--4.5
--5.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
--0.4
--0.8
--1.2
--2.0
--1.6
--1.8
--0.2
--0.6
--1.0
--1.4
IC -- VBE
Collector
Current,
I
C
--
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
IT07643
0
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
VCE= --2V
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
IB=0
--250mA--200mA
--150mA
--100mA
--50mA
--20mA
--10mA
--5mA
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP
5.0
6.5
0.85
0.7
0.6
1.5
5.5
7.0
0.8
1.6
7.5
0.5
1.2
2.3
0.5
1
23
4
2.3
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP-FA
6.5
2.3
0.5
1.5
5.5
0.8
7.0
1.2
2.5
5.0
0.85
0.5
1.2
0 ‘0.2
2.3
0.6
12
4
3
VR
RL
VCC= --25V
VBE=5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RB
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
IB2
D.C.
≤1%
--10IB1=10IB2= IC= --1A
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