| 型号: | 2SA2151Y |
| 元件分类: | 功率晶体管 |
| 英文描述: | 15 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装: | TO-3P, 3 PIN |
| 文件页数: | 1/7页 |
| 文件大小: | 279K |
| 代理商: | 2SA2151Y |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2154-Y | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2154 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2154-GR | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2154MFV-GR | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2154MFV | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA2153 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications |
| 2SA2153-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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| 2SA2154CT | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:General-Purpose Amplifier Applications |
| 2SA2154CT-GR(TPL3) | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |