收藏本站
参数资料
型号： 2SA2151AP
元件分类： 功率晶体管
英文描述： 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封装： TO-3P, 3 PIN
文件页数： 4/7页
文件大小： 279K
代理商： 2SA2151AP
Audio Amplification Transistor
2SA2151A
4
1
10
100
1000
10
ms
DC
100
ms
–I
C
(A)
0.1
0.01
1.0
10.0
100.0
–VCE (V)
Safe Operating Area
TA= 25°C, single pulse, no heatsink, natural cooling
0.01
0.1
1
10
100
10
20
30
0
fT vs. IE
–VCE = 12 V Continuous
f T
(MHz)
IE (A)
Typ.
PC vs. TA
0
50
100
150
200
0
25
50
75
100
125
150
TA (°C)
P
C
(W)
Without Heatsink
Wi
th
Infinite
Hea
tsin
k
3.5
Performance Characteristics, continued
Allegro MicroSystems, Inc.
115 Northeast Cutoff, Box 15036
Worcester, Massachusetts 01615-0036 (508) 853-5000
www.allegromicro.com
相关PDF资料
PDF描述
2SA2151AY 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA2154CT 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2154CT-GR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA2180 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SA2203 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SA2153 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications
2SA2153-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA2154 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) General-Purpose Amplifier Applications
2SA2154CT 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:General-Purpose Amplifier Applications
2SA2154CT-GR(TPL3) 功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*