- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录49903 > 2SA2163 (PANASONIC CORP) 30 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SA2163 |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 30 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | 0.60 X 1 MM, 0.39 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, ULTRAMINIATURE, LEADLESS, ML3-N2, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 365K |
| 代理商： | 2SA2163 |
2SA2163
2
SJC00336AED
PC T
a
TT
I
aa
C V
CB
IC V
CE
VCE(sat) I
C
hFE
hh I
C
C
ob V
CB
0
40
120
80
0
120
40
80
2SA2163_PC-Ta
Collector
power
dissipation
P C
(mW
)
Ambient temperature Ta (°C)
0
0.4
0.8
1.2
0
10
20
30
2SA2163_IC-VCE
Collector
current
I C
(mA
)
Collector-base voltage VCB (V)
VCE = 10 V
Ta = 85°C
25°C
25°C
0
4
8
12
0
4
8
12
16
20
2SA2163_IC-VCE
Collector
current
I C
(mA
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
IB = 200 A
180 A
160 A
140 A
120 A
100 A
Ta = 25°C
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
Collector current IC (mA)
Collector
-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
2SA2163_VCE(sat)-IC
IC /IB = 10
Ta = 85°C
25°C
25°C
0.1
1
10
100
0
120
160
40
80
Collector current IC (mA)
Forward
current
transfer
ratio
h FE
2SA2163_hFE-IC
VCE = 5 V
Ta = 85°C
25°C
25°C
0
10
20
30
0.1
10
1
Collector-base voltage VCB (V)
2SA2163_Cob-VCB
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF
)
f = 1 MHz
Ta = 25°C
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2169 | 10000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6017-TL | 10000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6017 | 10000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6017-TL | 10000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6017 | 10000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA216300A | 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA ML3-N2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA2164 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planar type For high-frequency amplification |
| 2SA216400L | 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSSMINI3P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA2166 | 制造商:ISAHAYA 制造商全称:Isahaya Electronics Corporation 功能描述:FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
| 2SA2166_08 | 制造商:ISAHAYA 制造商全称:Isahaya Electronics Corporation 功能描述:FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。