- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录49903 > 2SA2169 (SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD) 10000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SA2169 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 10000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | TP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | 2SA2169 |
2SA2169 / 2SC6017
No.8275-2/5
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)100A, IE=0
(--50)100
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)100A, IC=0
(--)6
V
Turn-On Time
ton
See specified Test Circuit.
(70)40
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(650)1000
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(60)80
ns
Package Dimensions
unit : mm
2045B
2044B
Switching Time Test Circuit
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP
5.0
6.5
0.85
0.7
0.6
1.5
5.5
7.0
0.8
1.6
7.5
0.5
1.2
2.3
0.5
1
23
4
2.3
VR
RB
VCC=20V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
IC=20IB1= --20IB2=3A
For PNP, the polarity is reversed.
6mA
--5.0
--3.0
--4.5
--4.0
--3.5
--2.0
--2.5
--1.0
--1.5
--0.5
5.0
3.0
4.5
4.0
3.5
2.0
2.5
1.0
1.5
0.5
0
--0.5
0
--1.0
--1.5
--2.0
IC -- VCE
--2mA
--6mA
--8mA
--10mA
IB=0
IT08961
0.5
0
1.0
1.5
2.0
0
IC -- VCE
IB=0
2mA
4mA
8mA
10mA
20mA
12mA
14mA
16mA
IT08962
2SA2169
2SC6017
--18mA
--16mA
18mA
--12mA
--4mA
--14mA
--20mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP-FA
6.5
2.3
0.5
1.5
5.5
0.8
7.0
1.2
2.5
5.0
0.85
0.5
1.2
0 to 0.2
2.3
0.6
12
4
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC6017-TL | 10000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6017 | 10000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6017-TL | 10000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6017 | 10000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA2169-TL | 10000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA2169-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 10A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2169-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 10A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2174G0L | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA2174J0L | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 100MA SSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA2179 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 13A High-Speed Switching Applications |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。