参数资料
型号: 2SA2182
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 1 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封装: LEAD FREE, SC-67, 2-10U1A, 3 PIN
文件页数: 4/5页
文件大小: 166K
代理商: 2SA2182
2SA2182
2006-11-13
4
Collector
current
I
C
(A)
Safe Operating Area
1
10
IC max. (continuous)
IC max. (pulsed)*
DC operation
Tc = 25℃
V
CE
O
max.
10 ms*
1 ms*
100 ms*
*:Single non-repetitive pulse
Tc = 25°C
Curves
must
be
de-rated
linearly
with
increase
in
temperature.
Collector
emitter voltage
VCE (V)
0.01
1
1000
10
100
0.1
相关PDF资料
PDF描述
2SA2222SG 10 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SA733 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA812-M5-TP 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA812A 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA816 0.75 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相关代理商/技术参数
参数描述
2SA2182(Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 230V 1A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA2182(STA4,Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 230V 1A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA2183(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 2A 3-Pin TSM
2SA2186 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications
2SA2186-AN 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2