| 型号: | 2SA2196 |
| 厂商: | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | 5000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
| 封装: | TO-126, 3 PIN |
| 文件页数: | 5/5页 |
| 文件大小: | 44K |
| 代理商: | 2SA2196 |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC6116LS | 6 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC6124 | 2000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6127 | 50 mA, 800 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6127 | 50 mA, 800 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6133 | 1.5 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA2197 | 制造商:SANYO 功能描述:PNP 30V 0.5A 200 to 560 TO126 Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 30V 7A TO-126 制造商:Sanyo 功能描述:Trans GP BJT NPN 30V 7A 3-Pin TO-126 |
| 2SA2199 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:General Purpose Transistor |
| 2SA2199T2LQ | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPLR HFE RANK Q RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2199T2LR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPLR HFE RANK R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2200-TD-E | 制造商:SANYO 功能描述:PNP 60V 0.1A 200 to 400 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 60V 3A SOT89 |