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参数资料
| 型号： | 2SA2200 |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 2SA2200 |
2SA2200
No. A0580-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)1
IC=--1A, IB=--50mA
--110
--220
mV
VCE(sat)2
IC=--1A, IB=--100mA
--90
--180
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=--1A, IB=--100mA
--0.85
--1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=--10A, IE=0A
--60
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=--100A, RBE=0
--60
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=--1mA, RBE=∞
--60
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=--10A, IC=0A
--7
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
35
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
480
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
28
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7007A-004
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
IC -- VBE
Collector
Current,
I
C
--
A
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
0--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
IB= --5mA
--20mA
--100mA
--150mA
--250mA
--200mA
IT11860
--50mA
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
--3.0
--2.5
--2.0
--1.0
--0.5
--1.5
0
0--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
IT11861
VCE= --2V
VR
RL
VCC= --30V
VBE=5V
IC= --10IB1=10IB2= --0.5A
++
50
INPUT
OUTPUT
1k
220F
470F
PW=20s
IB1
IB2
D.C.≤1%
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : PCP
2.5
4.0
1.0
1.5
0.5
0.4
3.0
4.5
1.6
0.4
12
3
1.5
0.75
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PDF描述 |
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