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参数资料
| 型号： | 2SA608NG |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | NPA-WA, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | 2SA608NG |
2SA608N/2SC536N
No.6324–3/4
A S O
1000
100
7
5
3
2
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
10
100
25
37
25
37
57
IT00511
ICP
IC
100ms
DC
operation
10ms
500
0
400
600
300
200
100
20
060
40
80
100
140
120
160
PC -- Ta
IT00510
--1.0
--0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
--0.01
--1.0
--10
23
5
7
2
3
5 7
23
5
7
--100
--1000
VCE(sat) -- IC
IT00506
2SA608N
IC / IB=--10
1.0
0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
0.01
1.0
10
23
5
7
2
3
5 7
23
5
7
100
1000
VCE(sat) -- IC
IT00507
2SC536N
IC / IB=10
Cob -- VCB
0.1
10
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
100
--0.1
23
5
7
23
5
7
23
5
7
--10
--1.0
--100
IT00504
2SA608N
f=1MHz
Cob -- VCB
0.1
10
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
100
0.1
23
5
7
23
5
7
23
5
7
10
1.0
100
IT00505
2SC536N
f=1MHz
f T -- IC
7
3
100
2
5
7
3
2
5
10
1000
--1.0
25
7
3
--10
25
7
3
--100
25
7
3
--1000
IT00502
2SA608N
VCE=--6V
f T -- IC
7
3
100
2
5
7
3
2
5
10
1000
1.0
25
7
3
10
25
7
3
100
25
7
3
1000
IT00503
2SC536N
VCE=6V
2SA608N / 2SC536N
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–
MHz
Collector Current, IC –mA
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–
MHz
Collector Current, IC –mA
Output
Capacitance,
Cob
–
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
–
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
For PNP, the polarity is reversed.
Collector
Dissipation,
P
C
–m
W
Ambient Temperature, Ta – C
Collector Current, IC –mA
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Collector Current, IC –mA
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC536NG | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC536N | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5375A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5376CT | 400 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5376CT-B | 400 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA608NG-NPA-AT | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 0.15A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA608NP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SA608NPD | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SA608NPE | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
| 2SA608NPF | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
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