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参数资料
| 型号： | 2SA965-O |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | LEAD FREE, TO-92MOD, 2-5J1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 128K |
| 代理商： | 2SA965-O |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA965-Y | 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA965 | 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA966-Y | 1500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA966-O | 1500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA970-GR | 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA965-O(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 3-Pin TO-92 Mod 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor |
| 2SA965-O(TE6,F,M) | 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:LSTM 标准包装:1 |
| 2SA965-O,F(J | 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:LSTM 标准包装:1 |
| 2SA965TM | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:-0.8A , -120V PNP Plastic Encapsulated Transistor |
| 2SA965Y | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR |
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