- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录49904 > 2SA965 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SA965 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | LEAD FREE, 2-5J1A, TO-92MOD, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | 2SA965 |
2SA965
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
2SA965
Power Amplifier Applications
Driver-Stage Amplifier Applications
Complementary to 2SC2235.
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
120
V
Collector-emitter voltage
VCEO
120
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
800
mA
Emitter current
IE
800
mA
Collector power dissipation
PC
900
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 120 V, IE = 0
―
100
nA
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 5 V, IC = 0
―
100
nA
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
120
―
V
Emitter-base breakdown voltage
V (BR) EBO
IE = 1 mA, IC = 0
5
―
V
DC current gain
hFE
(Note)
VCE = 5 V, IC = 100 mA
80
―
240
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 500 mA, IB = 50 mA
―
1.0
V
Base-emitter voltage
VBE
VCE = 5 V, IC = 500 mA
―
1.0
V
Transition frequency
fT
VCE = 5 V, IC = 100 mA
―
120
―
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
40
pF
Note: hFE classification O: 80 to 160, Y: 120 to 240
Unit: mm
JEDEC
TO-92MOD
JEITA
―
TOSHIBA
2-5J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA966-Y | 1500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA966-O | 1500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA970-GR | 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA983K | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA990F | 100 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA965_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Amplifier ApplicationsDriver-Stage Amplifier Applications |
| 2SA965O | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR |
| 2SA965-O(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 3-Pin TO-92 Mod 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor |
| 2SA965-O(TE6,F,M) | 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:LSTM 标准包装:1 |
| 2SA965-O,F(J | 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:LSTM 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。