- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录49904 > 2SA965 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SA965 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | LEAD FREE, 2-5J1A, TO-92MOD, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | 2SA965 |
2SA965
2004-07-07
3
Collector current IC (mA)
VCE (sat) – IC
Col
lect
or
-e
m
itte
rs
a
tu
ra
tion
volta
g
e
V
CE
(s
a
t)
(
V
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
C
olle
ct
or
cur
re
nt
I
C
(m
A)
Ambient temperature Ta (°C)
PC – Ta
C
ollec
tor
po
wer
dis
si
pati
on
P
C
(W
)
20
0
40
60
100
120
1.0
0.4
0
0.2
0.6
0.8
80
140
180
160
Collector current IC (mA)
hFE – IC
DC
cur
re
nt
gain
h
FE
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
Coll
ect
or
cur
re
nt
I
C
(m
A)
)
600
800
0
400
200
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Ta = 100°C
25
Common emitter
VCE = 5 V
1000
0
800
600
400
200
2
4
6
8
10
12
Common emitter
Ta = 25°C
5
15
10
IB = 1 mA
7
3
4
2
14
0
300
Common emitter
IC/IB = 10
3
0.03
3
1
0.3
0.1
0.05
10
30
100
1000
Ta = 100°C
25
0.5
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
Coll
ect
or
cur
re
nt
I
C
(m
A)
3000
1
0.5
3
1
3
10
30
100
*: Single nonrepetitive pulse
Ta = 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
IC max (continuous)
IC max (pulsed)*
1 ms*
10 ms*
100 ms*
DC operation
300
1000
100
300
10
30
5
50
500
5
50
1000
10
3
500
300
100
50
10
30
100
300
1000
Ta = 100°C
25
30
Common emitter
VCE = 5 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA966-Y | 1500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA966-O | 1500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA970-GR | 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA983K | UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA990F | 100 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA965_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Amplifier ApplicationsDriver-Stage Amplifier Applications |
| 2SA965O | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR |
| 2SA965-O(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 120V 0.8A 3-Pin TO-92 Mod 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor |
| 2SA965-O(TE6,F,M) | 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:LSTM 标准包装:1 |
| 2SA965-O,F(J | 功能描述:TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:120MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:LSTM 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。