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参数资料
| 型号： | 2SAR512PT100 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 220K |
| 代理商： | 2SAR512PT100 |
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www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.10 - Rev.A
Medium Power Transistors (
30V / 2A)
2SAR512P
Structure
Dimensions (Unit : mm)
PNP Silicon epitaxial planar transistor
Features
1) Low saturation voltage, typically
VCE (sat) = -0.4V (Max.) (IC / IB= -700mA / -35mA)
2) High speed switching
Applications
Driver
Packaging specifications
Inner circuit (Unit : mm)
Package
Taping
Code
T100
Basic ordering unit (pieces)
1000
2SAR512P
Absolute maximum ratings (Ta = 25
°C)
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
VCBO
-30
V
Collector-emitter voltage
VCEO
-30
V
Emitter-base voltage
VEBO
-6
V
DC
IC
-2
A
Pulsed
ICP
-4
A
PD
0.5
W
PD
2W
Junction temperature
Tj
150
°C
Range of storage temperature
Tstg
-55 to 150
°C
*1 Pw=10ms, Single Pulse
*2 Each terminal mounted on a recommended land.
*3 Mounted on a ceramic board. (40x40x0.7mm)
Type
Parameter
Collector current
Power dissipation
*1
*2
*3
MPT3
(1)Base
(2)Collector
(3)Emitter
Abbreviated symbol : MB
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB767Q | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4672T100 | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SK2698 | 15 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2952 | 8.5 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK4015 | 10 A, 600 V, 0.86 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SAR512RTL | 功能描述:TRANS PNP 30V 2A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 35mA，700mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:430MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:TSMT3 标准包装:1 |
| 2SAR513P | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (-50V / -1A) |
| 2SAR513P_09 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (-50V / -1A) |
| 2SAR513P5T100 | 功能描述:PNP -50V -1A MEDIUM POWER TRANSI 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:400MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 |
| 2SAR513PFRAT100 | 功能描述:PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:400MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 |
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