参数资料
型号: 2SAR512PT100
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 2000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: MPT3, 3 PIN
文件页数: 3/5页
文件大小: 220K
代理商: 2SAR512PT100
3/4
www.rohm.com
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.10 - Rev.A
Data Sheet
2SAR512P
Electrical characteristic curves
-0.01
-0.1
-1
-10
-0.1
-1
-10
-100
Single pulse
DC Ta=25 C
(Mounted on a
recommended land)
100ms
10ms
1ms
10
100
1000
-1
-10
-100
-1000
-10000
DC
CURRE
NT
G
A
IN
:h
FE
Ta=25 C
VCE= -5V
-2V
-1
-10
-100
-1000
-10000
-1.5
-1
-0.5
0
CO
LLE
CT
O
R
CURRE
NT
:
I
C
[m
A
]
VCE= -2V
Ta=125 C
75 C
25 C
-40 C
1
10
100
1000
-0.1
-1
-10
-100
COLLECTOR - BASE VOLTAGE : VCB (V)
EMITTER - BASE VOLTAGE : VEB (V)
Ta=25 C
f=1MHz
IE=0A
IC=0A
Cob
Cib
-0.001
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
-1000
-10000
IC / IB=20
Ta=125 C
75 C
25 C
-40 C
-0.001
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
-1000
-10000
COLLECTOR CURRENT : IC[mA]
C
O
L
E
C
T
O
R
SAT
U
R
A
T
IO
N
VO
L
T
AG
E
:
V
CE
(s
a
t)[
V
]
Ta=25 C
IC/IB=50
20
10
100
1000
-1
-10
-100
-1000
-10000
DC
CURRE
NT
G
A
IN
:h
FE
VCE= -2V
Ta=125 C
75 C
25 C
-40 C
-0.50
-0.45
-0.40
-0.35
-0.30
-0.25
-0.20
-0.15
-0.10
-0.05
0.00
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
-2.5mA
-2.0mA
-1.5mA
-1.0mA
-0.5mA
-3.0mA
-5.0mA
10
100
1000
10
100
1000
EMITTER CURRENT : IE[mA]
T
R
AN
SI
T
IO
N
F
R
EQ
U
E
N
C
Y
:
f
T[MHz
]
Ta=25 C
VCE=-10V
COLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE[V]
Fig.1 Typical Output Characteristics
CO
LLE
C
T
O
R
CURRE
NT
:I
C
[A
]
COLLECTOR CURRENT : IC[mA]
COLLECTOR CURRENT : I C[mA]
Fig8. Gain Bandwidth Product vs.
Emitter Current
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE(V)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE[V]
CO
LLE
C
T
O
R
CURRE
NT
:I
C(A
)
Fig.9 Safe Operating Area
Fig.7 Emitter Input Capacitance
vs. Emitter-Base Voltage
Collector Output Capacitance
vs. Collector-Base Voltage
Fig.6 Ground Emitter Propagation
Characteristics
COLLECTOR CURRENT : IC[mA]
C
O
L
EC
T
O
R
SAT
U
R
A
T
IO
N
VO
L
T
AG
E
:
V
CE
(s
a
t)[
V
]
C
O
L
EC
T
O
R
O
U
T
P
U
T
C
APAC
IT
AN
C
E
:
C
o
b
(p
F
)
EM
IT
T
E
R
I
N
PU
T
C
APAC
IT
AN
C
E
:
C
ib
(p
F
)
C
DC Ta=25
(Mounted on a ceramic board)
Fig2. DC Current Gain
vs. Collector Current ( )
Ι
Fig3. DC Current Gain
vs.Collector Current ( )
ΙΙ
Fig4. Collector-Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current ( )
Ι
Fig5. Collector-Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current ( )
ΙΙ
相关PDF资料
PDF描述
2SB767Q 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4672T100 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SK2698 15 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2952 8.5 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK4015 10 A, 600 V, 0.86 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
2SAR512RTL 功能描述:TRANS PNP 30V 2A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 35mA,700mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:430MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:TSMT3 标准包装:1
2SAR513P 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (-50V / -1A)
2SAR513P_09 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (-50V / -1A)
2SAR513P5T100 功能描述:PNP -50V -1A MEDIUM POWER TRANSI 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 25mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 50mA,2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:400MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1
2SAR513PFRAT100 功能描述:PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽车级,AEC-Q101 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 25mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 50mA,2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:400MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1