- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录155752 > 2SB0873 Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SB0873 |
| 英文描述： | Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires |
| 中文描述： | 小信号装置-小信号晶体管-一般使用低频Amplifires |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | 2SB0873 |
2SB0873
2
SJC00061BED
VCE(sat) IC
hFE IC
fT IE
PC Ta
IC VCE
IC VBE
Cob VCB
Safe operation area
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
Ambient temperature T
a (°C)
0
12
10
8
2
6
4
0
6
5
4
3
2
1
Ta
= 25°C
35 mA
30 mA
25 mA
20 mA
15 mA
10 mA
5 mA
1 mA
IB
= 40 mA
Collector
current
I
C
(A
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
12
10
8
6
4
2
VCE
= 2 V
Ta
= 75°C
25°C
25
°C
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(A
)
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
IC / IB
= 30
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (A)
0.01
0.1
1
10
0
600
500
400
300
200
100
VCE
= 2 V
Ta
= 75°C
25
°C
25°C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
1
10
100
0
240
200
160
120
80
40
VCB
= 6 V
Ta
= 25°C
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Emitter current I
E (mA)
1
10
100
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
0
200
160
120
80
40
IE
= 0
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
Collector-base voltage V
CB (V)
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
Single pulse
Ta
= 25°C
t
= 10 ms
t
= 1 s
ICP
IC
Collector
current
I
C
(A
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB873 | Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires |
| 2SB0928 | Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification |
| 2SB928 | Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification |
| 2SB0928A | Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification |
| 2SB928A | Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB0873(2SB873) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:小信号デバイス － 小信号トランジスタ － 汎用低周波増幅 |
| 2SB08730Q | 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 5A TO-92L RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB08730R | 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 5A TO-92L RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB0873P | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-51 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。