型号: | 2SB0873 |
英文描述: | Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires |
中文描述: | 小信号装置-小信号晶体管-一般使用低频Amplifires |
文件页数: | 3/3页 |
文件大小: | 80K |
代理商: | 2SB0873 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SB0873(2SB873) | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:小信号デバイス - 小信号トランジスタ - 汎用低周波増幅 |
2SB08730Q | 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 5A TO-92L RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SB08730R | 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 5A TO-92L RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SB0873P | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SC-51 |