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参数资料
| 型号： | 2SB1070A |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | N-G1, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 212K |
| 代理商： | 2SB1070A |
2SB1070, 2SB1070A
2
SJD00040AED
VBE(sat) IC
hFE IC
fT IC
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
ton , tstg , tf IC
Safe operation area
0
10
30
20
40
0
150
25
125
50
100
75
Collector
power
dissipation
P
C
(W
)
Ambient temperature T
a (°C)
(1)TC=Ta
(2)With a 50
×50×2mm
Al heat sink
(3)Without heat sink
(PC=1.3W)
(1)
(2)
(3)
0
6
5
4
3
2
1
0
10
2
4
8
6
TC=25C
–40mA
–50mA
–45mA
–30mA
–35mA
–20mA
–15mA
–10mA
–25mA
–5mA
IB=–80mA
Collector
current
I
C
(A
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
Collector current I
C (A)
IC/IB=20
25C
–25C
TC=100C
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
IC/IB=20
TC=–25C
100C
25C
Base-emitter
saturation
voltage
V
BE(sat)
(V
)
Collector current I
C (A)
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
1000
VCE=–2V
TC=100C
25C
–25C
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
Collector current I
C (A)
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
1 000
VCE=–2V
f=10MHz
TC=25C
Transition
frequency
f
T
(MHz
)
Collector current I
C (mA)
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1000
Collector
current
I
C
(A
)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Non repetitive pulse
TC=25C
t=10ms
t=300ms
t=1ms
ICP
IC
2SB1070A
2SB1070
0.01
10
1
0.1
0
8
2
6
4
Turn-on
time
t
on
,
Storage
time
t
stg
,
Fall
time
t
f
(
s)
Collector current I
C (A)
tstg
ton
tf
Pulsed tw=1ms
Duty cycle=1%
IC/IB=10
(–IB1=IB2)
VCC=–20V
TC=25C
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PDF描述 |
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参数描述 |
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