参数资料
型号: 2SB1124-R
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: PCP, 3 PIN
文件页数: 3/4页
文件大小: 96K
代理商: 2SB1124-R
2SB1124/2SD1624
No.2019—3/4
0--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
--3.2
--2.8
--2.4
--1.6
--2.0
--1.2
--0.8
--0.4
0
IC -- VBE
ITR08911
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
2SB1124
VCE= --2V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
3.2
2.8
2.4
1.6
2.0
1.2
0.8
0.4
0
IC -- VBE
ITR08912
Ta
=75
°C
25
°C
--25
°C
2SD1624
VCE=2V
23
5
0.1
10
23
5
0.01
23
5
1.0
f T -- IC
100
10
2
5
7
1000
7
5
3
2
3
ITR08915
2SB1124
2SD1624
Cob -- VCB
1.0
10
7
3
5
10
1.0
2
3
5
2
27
35
100
27
35
ITR08916
hFE -- IC
2
3
5
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
--0.01
23
5
--0.1
23
7
--1.0
ITR08913
2SB1124
VCE= --2V
Ta=75
°C
25
°C
--25°C
hFE -- IC
2
3
5
7
1000
2
3
5
7
100
23
5
0.01
23
5
0.1
23
7
1.0
ITR08914
2SD1624
VCE=2V
Ta=75°C
25
°C
--25°C
2
5
7
3
2
5
3
--100
--10
--1000
23
5
7
77
--0.01
23
5
3
5
--0.1
2
--1.0
ITR08917
VCE(sat) -- IC
2SB1124
IC / IB=20
75°
C
25°C
Ta=
--2
5°C
2
5
7
3
2
5
3
100
10
1000
23
5
7
77
0.01
23
5
3
5
0.1
2
1.0
ITR08918
VCE(sat) -- IC
2SD1624
IC / IB=20
25°C
Ta=75°
C
--25°C
2SB1124 /
2SD1624
VCE=10V
2SB1124
2SD1624
2SB1124 /
2SD1624
f=1MHz
Collector
Current,
I C
—A
Base-to-Emitter Voltage, VBE —V
Collector
Current,
I C
—A
Base-to-Emitter Voltage, VBE —V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC —A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC —A
For PNP, minus sign is omitted.
Gain-Bandwidth
Product,
f T
MHz
Collector Current, IC —A
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
m
V
Collector Current, IC —A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
m
V
Collector Current, IC —A
相关PDF资料
PDF描述
2SD1624 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1624T 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD1624S 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1124-T 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1132T100/PR 1 A, 32 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SB1124S 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-89
2SB1124S-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SB1124S-TD-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SB1124T 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-89
2SB1124T-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2